Mg掺杂ZnSe电子结构与光学性质的第一性原理研究

• 作者: 余志强 张昌华 李时东 来国红 郎建勋
• 来源期刊: 湖北民族学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 硒化锌 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: O471
• 字数: 2439字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13501/j.cnki.42-1569/n.2015.03.011

摘要

采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,结合广义梯度近似,对Mg掺杂闪锌矿ZnSe的MgxZn1-xSe电子结构和光学性质进行了研究.结果表明:MgxZn1-xSe是一种直接带隙半导体,其价带顶主要由Se-4p态电子构成,位置基本保持不变;导带底主要由Se-4s态电子和Zn-4s态电子共同决定,并且随着掺杂浓度的增大向高能区方向移动,其能隙宽度随掺杂量的增大而变宽,吸收光谱出现蓝移,计算结果与现有文献符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李时东	湖北民族学院电气工程系	32	87	5.0	7.0
2	张昌华	湖北民族学院电气工程系	28	131	6.0	10.0
3	郎建勋	湖北民族学院电气工程系	15	20	2.0	3.0
4	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0
5	来国红	湖北民族学院电气工程系	16	30	3.0	4.0