N型背发射极晶体硅太阳电池模拟研究

• 作者: 和江变 李健 邹凯 马承鸿
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: N型晶体硅 太阳电池 背发射极 PC1D模拟
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4|O482.7
• 字数: 2051字
• 语种: 中文

摘要

N型晶体太阳电池由于少子寿命高、光致衰减低、弱光响应好等优点，近年来在高效率低成本太阳电池领域一直备受关注。利用PC1D模拟，对N型背发射极晶体硅太阳电池进行了分析。结果表明，背发射极掺杂浓度、结深、背表面复合速率、前表面掺杂浓度及复合速率都对电池转换效率有较大影响，尤其是电池前表面与背表面复合速率对电池性能的影响最为明显，而电池前表面场掺杂深度则对电池性能影响较小。对于前表面复合来说，当前表面复合速率小于1×103 cm/s时，电池性能受表面复合速率变化的影响很小；但复合速率超过1×103 cm/s后，电池转换效率快速下降。背表面复合对电池效率影响则更明显，当背表面复合速率超过1×104 cm/s后，电池转换效率急剧下降，在背表面复合速率增大到1×106 cm/s时，电池效率下降到不足5%，而在电池背表面复合速度较小时（10~103 cm/s）则可获得较高的转换效率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李健	内蒙古大学物理科学与技术学院	36	200	7.0	12.0
5	邹凯		3	7	2.0	2.0
6	和江变		4	7	2.0	2.0
7	马承鸿		2	5	1.0	2.0