纳米二氧化钒薄膜的制备及其特性研究

• 作者: 冯昊 安忠维 惠龙飞 李建国 秦利军 龚婷
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 原子层沉积(ALD) 纳米二氧化钒薄膜 半导体-金属相变 红外透过率
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 75-80
• 分类号: TB34
• 语种: 中文

摘要

采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2 O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体.通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化;利用傅里叶红外光谱(FT-IR)对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析.结果表明:ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主;在通以还原气氛(95％Ar,5％H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜,VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安忠维		85	503	11.0	18.0
2	李建国		6	15	2.0	3.0
3	惠龙飞		4	10	1.0	3.0
4	冯昊		5	12	2.0	3.0
5	秦利军		4	12	2.0	3.0
6	龚婷		5	13	2.0	3.0