基于功率MOSFET的高压纳秒脉冲源研究

• 作者: 吴云峰 夏涛 戴磊 王胜利 胡波洋 苗玲 郑天策
• 来源期刊: 电子测量与仪器学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 纳秒级前后沿 驱动时序 电路寄生参数
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1852-1861
• 页数: 10页
• 分类号: TN78
• 字数: 3881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13382/j.jemi.2015.12.016

摘要

为进行钝感火工品电安全性测试，对一种以MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）为开关元件的纳秒双快沿脉冲源进行分析与实验研究。简要介绍其结构的基础上，着重从高压场效应管的开关机理、推挽MOSFET动作时序以及主要寄生参数对输出脉冲波形影响等几方面来详细分析提高高压纳秒脉冲源输出脉冲特性的方法和途径。实验结果表明，该脉冲源可以产生脉冲上升沿约为5 ns、下降沿约为8 ns，幅值300 V左右的准方波脉冲，性能指标满足钝感火工品的电安全性试验的要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴云峰	电子科技大学能源科学与工程学院	106	653	13.0	18.0
2	王胜利	电子科技大学能源科学与工程学院	5	19	3.0	4.0
3	胡波洋	电子科技大学能源科学与工程学院	5	19	3.0	4.0
4	苗玲	电子科技大学能源科学与工程学院	4	15	2.0	3.0
5	夏涛	电子科技大学能源科学与工程学院	4	26	2.0	4.0
6	戴磊	电子科技大学能源科学与工程学院	4	26	2.0	4.0
7	郑天策	电子科技大学能源科学与工程学院	3	38	3.0	3.0