三乙醇胺含量对化学浴法制备硫化铜薄膜的影响

• 作者: 张冯章 李广立 李湘奇 范健 范希梅 邬小凤 黄瑶翰
• 来源期刊: 西南交通大学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硫化铜薄膜 化学浴沉积法 三乙醇胺 络合剂
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 698-702
• 页数: 5页
• 分类号: O649
• 字数: 3060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-2724.2015.04.019

摘要

为了研究三乙醇胺(TEA)在化学水域沉积法工艺中的作用,本文以氯化铜,硫脲,氨水和三乙醇胺为原料,采用化学浴沉积法在玻璃基底表面成功制备了硫化铜薄膜.研究了三乙醇胺不同含量对薄膜的厚度、结构,、形貌和光学性能的影响,并分析了反应机理.研究结果表明:三乙醇胺在反应中起到络合剂的作用,随着三乙醇胺含量的增加,反应诱导时间延长到23 min;沉积时间相同的情况下,组成薄膜的颗粒粒径变大且薄膜增厚240 nm,同时透射率呈现出减小的趋势.