液晶组分以及V-T曲线漂移与线残像关系研究

• 作者: 丰景义 乔云霞 崔青 徐凯 李锐 温刚
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: TFT-LCD 线残像 直流电压 V-T漂移
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 581-589
• 页数: 9页
• 分类号: TN104.3|TN27
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153004.0581

摘要

线残像是液晶显示不良的一种表现,对在Cell中短时间内判断液晶线残像的强弱进行了研究.本文使用了4种介电各向异性相同的液晶,对这4款混晶所制成的TFT-LCD屏进行了线残像水平测定,系统分析了混晶的组分与线残像的关系,并使用了一种通过加直流电压测试V-T曲线的漂移来判断液晶残像强弱的方法,对4款混晶做了V-T曲线漂移实验.组分分析表明,介电各向异性相同的情况下,液晶中-CF2 O-类单体和-COO-类单体的使用会导致线残像的发生.V-T漂移实验结果表明,Vth变化率小于5％时,液晶显示线残像轻微,Vth变化率大于10％时,线残像严重.这种方法可以在Cell中进行,并且使测试时间明显缩短,这对提高液晶的研发效率具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李锐		2	2	1.0	1.0
2	丰景义		5	3	1.0	1.0
3	温刚		1	2	1.0	1.0
4	乔云霞		7	12	2.0	3.0
5	徐凯		4	2	1.0	1.0
6	崔青		4	3	1.0	1.0