负性液晶在FFS模式下的残像研究

• 作者: 童芬 郭小军
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 边缘场切换广视角技术 负性液晶 残像 配向膜
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: .材料物理和化学.
• 页码范围: 393-398
• 页数: 6页
• 分类号: TN141
• 字数: 2870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153003.0393

摘要

图像残像是评价画面质量的最重要因素之一,大部分工程师研究了组合物的材料和液晶面板的制造工艺,以改善影像残留,但之前的研究主要是以正性液晶材料为基础进行探讨的,本文主要以负性液晶材料为基础研究了用边缘场驱动的面板残像.首先为了比较正性液晶与负性液晶,测量了离子密度及电压保持率(VHR),其次为了比较两种配向材料(PI)与液晶材料的搭配特性并选择合适的组合,量测了样品的直流残留(RDC)电压和Vcom电压随时间的变化.从量测结果可知,紫外(UV)光照前负性液晶离子密度是正性液晶的39倍,经过紫外光照,后负性液晶的离子密度为560 Pc/cm,且其紫外光照后电压保持率变化量为2．7％；使用负性液晶搭配 PI1的样品 A-1的直流残留电压和Vcom (等效为交流驱动电压的中心值)随时间变化量都是最大的,分别为0．5 V和250 mV,负性液晶搭配PI2材料的面板和正性液晶的面板的直流残留电压均小于0．2 V,其Vcom随时间变化量均在50 mV以内.负性液晶材料的离子浓度含量高,且其稳定性比正性液晶材料差,负性液晶材料比正性液晶材料更容易发生残像；对于使用负性液晶材料,边缘场驱动模式的面板,搭配 PI2配向膜材料能够保持低的直流残留电压及低的Vcom电压变化量,从而对改善残像现象有帮助.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭小军	上海交通大学电子与通信工程学院	8	17	3.0	4.0
2	童芬	上海交通大学电子与通信工程学院	1	2	1.0	1.0