基于使用负性液晶的边沿场切换模式的局部残影分析

• 作者: 关星 刘英明 苏子芳 许雅琴 钟德镇
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 负性液晶 残影 公共电极电压
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: .材料物理和化学.
• 页码范围: 399-403
• 页数: 5页
• 分类号: TN27
• 字数: 1907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153003.0399

摘要

随着液晶显示技术的发展,PPI越来越高,像素尺寸越来越小,穿透率的提升是一重要问题。负性液晶相对正性液晶具有高穿透率,较好的画面画质及较低的颜色偏差等优点,使得主流显示模式 IPS、FFS使用负性液晶研究逐渐增多。但由于负性液晶自身特性,其影像残留较正性液晶更为严重,特别是模组粘合附近区域的局部面残。为了改善负性液晶局部影像残留,本文研究了实际样品影像残留严重区域与轻徽区域不同测量数据,如温度、共电压(Vcom )等,发现影像残留严重区域与轻徽区域的公共电压出现漂移现象,分析了影响残影的因素,并提出改善方案,实测结果证明本文改善局部残影的方法是有效的。