基于PSpice的碳化硅MOSFET的建模与仿真

• 作者: 刘先正 徐国林 朱夏飞 温家良 赵志斌
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 等效电路模型 SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET) PSpice 电路仿真
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 电工新材料及应用
• 页码范围: 507-511
• 页数: 5页
• 分类号: TN30
• 字数: 2189字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2015.06.006

摘要

以SiC为代表的第3代半导体器件具有优越的性能，与Si材料半导体器件相比，在耐压等级、工作温度、开关损耗各方面均有提升，能够明显减少电力电子变换器的体积、重量、成本。其中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，MOSFET)更成为关注的焦点，因此，建立精确的MOSFET器件模型非常关键。调研大量Si MOSFET、SiC MOSFET器件模型，根据CREE公司提供的C2M0080120D库文件，提出一种新型SiC MOSFET器件等效电路模型。在电路仿真软件 PSpice 中详细介绍 SiC MOSFET 等效电路模型建模的过程，并将仿真结果和厂家提供的Datasheet参数进行对比。模型仿真结果与数据手册都可以很好匹配，从而验证了模型的准确性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵志斌	华北电力大学电气与电子工程学院	77	1185	18.0	33.0
2	温家良	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	16	304	11.0	16.0
3	刘先正	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	4	89	4.0	4.0
4	徐国林	华北电力大学电气与电子工程学院	2	13	1.0	2.0
5	朱夏飞	华北电力大学电气与电子工程学院	1	13	1.0	1.0