Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响

• 作者: 刘可为 孙华山 李炳辉 申德振 范明明 陈星 陈洪宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgZnO 紫外探测器 Au电极 厚度
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 200-205
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|O472.8
• 字数: 3164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153602.0200

摘要

利用分子束外延设备(MBE)制备了MgZnO薄膜.X射线衍射谱、紫外-可见透射光谱和X射线能谱表明薄膜具有单一六角相结构,吸收边为340 nm,Zn/Mg组分比为62∶38.采用掩膜方法使用离子溅射设备,在MgZnO薄膜上制备了Au电极,并实现了Au-MgZnO-Au结构的紫外探测器.通过改变溅射时间,得到具有不同Au电极厚度的MgZnO紫外探测器.研究结果表明:随着Au电极厚度的增加,导电性先缓慢增加,再迅速增加,最后缓慢增加并趋于饱和;而Au电极的透光率则随厚度的增加呈线性下降.此外,随着Au电极厚度的增加,器件光响应度先逐渐增大,在Au电极厚度为28 nm时达到峰值,之后逐渐减小.