考虑场板边缘效应的SOI-pLDMOS表面电场模型及器件优化设计

• 作者: 刘斯扬 叶然 孙伟锋 张春伟
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 解析模型 表面电场 SOI-pLDMOS 边缘效应
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 214-218
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2015.02.003

摘要

针对带有栅极场板的绝缘体上硅p型横向双扩散场效应晶体管(SOI-pLDMOS),提出了一种新型表面电场解析模型.相比于传统模型,该模型充分考虑了场板边缘效应对电场分布的影响,验证结果显示新模型能更好地符合Medici数值仿真结果.此外,基于所建立的器件表面电场模型,研究了栅极场板长度(包括多晶硅场板和金属场板)及漂移区掺杂浓度对器件表面电场分布和击穿特性的影响,进而对SOI-pLDMOS进行了优化设计.流片测试表明,所建立的新型表面电场解析模型能够很好地指导器件参数设计,实现了器件耐压和导通电阻的最佳折中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
3	张春伟	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	8	18	3.0	4.0
4	叶然	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0