硅基纳米线太阳电池电极接触性能的改善

• 作者: 刘生忠 杨勇洲 贾锐 高斐
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米线 太阳电池 电极接触 激光刻蚀
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1239-1241
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2079字
• 语种: 中文

摘要

通过银诱导湿法腐蚀的方法在晶硅衬底上制备了硅纳米线阵列.硅纳米线阵列具有很好的陷光作用和超低的表面反射,在300～1 000 nm光波长范围,即使没有Si3N4减反射膜,反射率能降低到5％.为了克服电极接触性能差的缺点,用激光刻蚀的方法选择性地刻蚀掉电极下的硅纳米线阵列,形成电极接触的平坦区域.采用对准丝网印刷的方法将电极印刷在平坦区域.测试结果显示激光刻蚀技术的引入有效改善了电极的接触性能,串联电阻从～1.81 Ω降低到了～0.64 Ω.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾锐	中国科学院微电子研究所	29	160	6.0	11.0
2	高斐	陕西师范大学材料科学与工程学院	26	39	3.0	5.0
3	刘生忠	陕西师范大学材料科学与工程学院	10	6	1.0	1.0
4	杨勇洲	陕西师范大学物理学与信息技术学院	1	0	0.0	0.0