Smart-cut方法制备GeOI材料的Ge表面腐蚀研究

• 作者: 张轩雄 杨帆 邓海量
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: Smart-cut技术 Ge表面粗糙度 表面腐蚀
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 205-207,212
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1579字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2015.06.056

摘要

通过H离子注入Ge晶圆退火起泡动力学研究,对实现晶圆Ge在氧化硅上层转移后的Ge表面(GeOI)采用湿法化学腐蚀研究,使其能进一步改善表面质量(即粗糙度),同时去除由于H离子注入Ge所造成的表面非晶层.通过氨水、H2O2、去离子水混合溶液在室温下对被转移Ge层腐蚀,采用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)检测.实验证实,湿法化学腐蚀方法能显著降低表面粗糙度,并去除制备GeOI过程中所造成的非晶层,从而得到晶格质量完好的表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帆	中国科学院微电子研究所	180	1565	19.0	33.0
2	张轩雄	上海理工大学光电信息与计算机工程学院	22	55	5.0	6.0
6	邓海量	上海理工大学光电信息与计算机工程学院	1	0	0.0	0.0