采用双场板凹槽阳极可以提高GaN肖特基二极管击穿电压

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿电压 肖特基二极管 GAN 肖特基势垒二极管 阳极 凹槽 场板 硅基
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（4）
• 页码范围: 32-32
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

NotreDame大学的研究者们称，硅基侧向A1GaN／GaN肖特基势垒二极管可实现行业内最高1．9kV的击穿电压。