一步蒸发法制备CIGS薄膜的晶体结构研究

• 作者: 冯同 刘贵山 胡志强 郝洪顺 高文元 魏丽娟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 一步蒸发法 CIGS薄膜 基底温度 晶体结构
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 638-642
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2210字
• 语种: 中文

摘要

采用一步蒸发法分别在钠钙硅玻璃基底、Mo基底上制备Cu(In,Ga) Se2(CIGS)薄膜,通过改变基底温度研究了玻璃和钼基底下CIGS薄膜晶体结构随温度变化情况,采用XRD、SEM、XRF及UV-vis对CIGS薄膜组成、结构及性能进行了表征.结果表明:在玻璃和Mo基底下制备的CIGS薄膜具有均匀一致的化学计量比组成,不同基底温度下,薄膜呈片状和柱状两种结构,片状结构的光吸收系数和禁带宽度高于柱状结构的光吸收系数和禁带宽度.