TC4合金渗硼层TiB和TiB2价电子结构与渗层硬化

• 作者: 刘伟东 刘斯琦 刘海平 屈华
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: TC4合金 渗硼层 TiB TiB2 价电子结构 硬化
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1139-1143
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.2+3|TG174.445
• 语种: 中文

摘要

计算了TiB与TiB2的价电子结构,研究了TiB、TiB2的价电子结构与TC4合金渗硼层硬化的关系.研究发现:TC4合金渗硼层的TiB2和TiB相中B-B原子键合力最强,且远大于合金基体组成原子的键合力;TiB2相最强共价键的共价电子对数nTiB2A为0.5554,TiB相最强共价键的共价电子对数nATiB2为0.4042,因此TiB2相对基体的硬化作用更强;TiB2相的原子状态组数σN为123,而TiB相的原子状态组数σN为19,所以TiB2相的稳定性更高;由相成键能力F的计算可知,从热力学角度看,渗层中TiB应比TiB2多;共价键空间分布决定了TiB晶体易沿[010]晶向生长成短纤维状,而TiB2相易于生成高对称性的粒状或球状,故TiB2比TiB更有利于硬化基体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘伟东		67	184	7.0	9.0
2	屈华		34	73	5.0	6.0
3	刘海平		7	5	1.0	2.0
4	刘斯琦		4	4	1.0	2.0