拉伸变形对硅纳米管电子结构和光学性能的影响

• 作者: 刘贵立 曲迎东 李荣德 杨忠华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 硅纳米管 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 页码范围: 2507-2512
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 4149字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的CASTEP程序,对单壁手扶椅型(6,6)硅纳米管施加不同程度的拉伸变形,研究其电子结构和光学性质.研究发现,拉伸变形使得硅纳米管的Si-Si键长增加,布居数减小,稳定性降低.拉伸变形过程中,导带底的电子明显向低能区偏移,而价带顶的电子向高能区移动,从而能隙宽度减小.同时,由于共价键对价带电子的束缚度降低,价电子更容易受激发向导带跃迁.拉伸变形能够增大硅纳米管的静态介电常数和实数部的吸收宽度,并使介电函数虚数部在低能区发生红移,从而硅纳米管的能隙宽度减小.在近紫外光波段,红外和可见光波段硅纳米管的发光效率随拉伸变形量的增加而提高.研究结果为硅纳米管在光电器件的应用提供理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李荣德	沈阳工业大学材料工程学院	235	2135	24.0	34.0
2	刘贵立	沈阳工业大学建筑工程学院	90	606	14.0	19.0
3	曲迎东	沈阳工业大学材料工程学院	80	332	10.0	15.0
4	杨忠华	沈阳工业大学建筑工程学院	7	26	3.0	5.0