基于全息光刻系统制备528 nm周期孔阵图形

• 作者: 刘丹丹 叶镇 庄允益 张思源 王勇 王晓华 高占琦
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学制造 全息光刻 双曝光 周期孔阵
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 全息与信息处理
• 页码范围: 288-292
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201542.0809003

摘要

基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形.得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s.采用H3PO4∶H2O2∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液,得出最佳刻蚀时间为30 s.扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示,孔阵周期为528 nm,刻蚀深度为124 nm,具有完美的表面形貌及良好均匀性和周期性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丹丹		5	24	2.0	4.0
2	王勇		26	43	4.0	5.0
3	王晓华		54	156	7.0	9.0
4	叶镇		3	1	1.0	1.0
5	高占琦		3	1	1.0	1.0
6	庄允益		1	0	0.0	0.0
7	张思源		1	0	0.0	0.0