高气压条件下MPCVD法快速制备金刚石膜

• 作者: 刘小利 史玉芬 周学芹 李坤
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: MPCVD 金刚石膜 生长速率
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 2177-2180
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2338字
• 语种: 中文

摘要

近年来研究表明,在微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石的过程中,增大反应气压和微波功率是提高金刚石生长速率的有效途径.本文采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在反应气压30 kPa、微波功率5.8 kW、CH4浓度不同的条件下进行了多晶金刚石膜的制备研究,并采用扫描电镜、X-射线衍射和激光拉曼光谱技术对所制备样品的表面形貌、物相及品质进行了分析.结果表明,CH4浓度由2.5％提高至5％,金刚石膜的质量较好,沉积速率由7.5μm/h提高至27.5μm/h.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李坤	常州大学材料科学与工程学院	13	18	3.0	3.0
2	周学芹	常州大学材料科学与工程学院	3	5	2.0	2.0
6	史玉芬	常州大学材料科学与工程学院	3	5	2.0	2.0
10	刘小利		3	5	2.0	2.0