高气压下温度对金刚石膜择优取向的影响

• 作者: 刘小利 史玉芬 周学芹 李坤
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: MPCVD 金刚石膜 沉积温度 择优取向
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 711-713,729
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.018

摘要

采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2％,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究.采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析.结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至900℃时,金刚石膜的表面形貌由(111)晶面择优取向逐渐转向(100)晶面择优取向;沉积温度由900℃升高至1050℃时,金刚石的表面形貌由(100)晶面择优取向逐渐转向(111)晶面择优取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李坤	常州大学材料科学与工程学院	13	18	3.0	3.0
2	周学芹	常州大学材料科学与工程学院	3	5	2.0	2.0
6	史玉芬	常州大学材料科学与工程学院	3	5	2.0	2.0
10	刘小利		3	5	2.0	2.0