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基于PCM的混合主存系统
基于PCM的混合主存系统
作者:
傅腾达
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
相变存储器
非易失性
内存系统
主存结构
写优化
磨损均衡
摘要:
处理器和存储器之间的性能差异日益增大,但传统的DRAM器件的集成度已经接近极限,能源消耗问题也已然成为瓶颈,如何设计稳定且有效的存储架构解决存储墙问题已成为学术界热议的话题.近年来,具有代表性的非易失性存储器-相变存储器(phase change memory, PCM),凭借其低功耗、大容量、可按字节寻址等特性,逐渐成为内存系统中颇具潜力的DRAM替代品.这篇文章重点讨论了基于PCM构建的多种混合主存结构.
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相变存储器
混合主存
写感知
主存管理
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相变随机访问存储器
主存系统
能量损耗
写寿命
基于SRAM和PRAM混合主存设计
混合存储器
PRAM存储器
SRAM写缓存
低功耗
写操作次数
替换算法
基于Max+PlusⅡ的PCM30/32路系统仿真
PCM
Max+PlusⅡ
帧结构
时序
内容分析
文献信息
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相关学者/机构
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文献信息
篇名
基于PCM的混合主存系统
来源期刊
数字技术与应用
学科
工学
关键词
相变存储器
非易失性
内存系统
主存结构
写优化
磨损均衡
年,卷(期)
2015,(2)
所属期刊栏目
应用研究
研究方向
页码范围
64,66
页数
2页
分类号
TP333
字数
1250字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
傅腾达
重庆大学计算机学院
1
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传播情况
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非易失性
内存系统
主存结构
写优化
磨损均衡
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
数字技术与应用
主办单位:
天津市电子仪表信息研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1007-9416
CN:
12-1369/TN
开本:
16开
出版地:
天津市
邮发代号:
6-251
创刊时间:
1983
语种:
chi
出版文献量(篇)
20434
总下载数(次)
106
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