基于SRAM和PRAM混合主存设计

• 作者: 姚英彪 陈越佳
• 来源期刊: 计算机工程与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 混合存储器 PRAM存储器 SRAM写缓存 低功耗 写操作次数 替换算法
• 年，卷（期）: 2016,（13）
• 所属期刊栏目: 理论与研发
• 页码范围: 69-75
• 页数: 7页
• 分类号: TP303
• 字数: 5162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3778/j.issn.1002-8331.1407-0601

摘要

由于DRAM芯片超高的静态功耗,使得利用DRAM构建高性能计算机系统中的大容量主存遇到能耗过大问题,这激发了对新型大容量主存结构的研究.针对上述问题,设计了一种基于SRAM和PRAM的混合主存系统,该系统将SRAM作为PRAM的专用写缓存,并将改进后的LRFU算法应用到SRAM写缓存,从而在对主存系统性能影响不大的前提下,有效降低主存系统的能耗和延长PRAM的可用时间.仿真结果显示,所设计的混合存储结构的能耗-延时积(EDP)为纯DRAM存储结构的40%;此外,与纯PRAM存储结构相比,可使PRAM的写操作次数下降28.5%,与将SRAM作为Cache相比,PRAM写次数下降13%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚英彪	杭州电子科技大学通信工程学院	42	181	8.0	11.0
2	陈越佳	杭州电子科技大学通信工程学院	1	0	0.0	0.0