一种高选择比硅膜腐蚀技术研究

• 作者: 张伟 赵娟 赵建强 高博
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 晶圆级 自停止 高选择比
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN47

摘要

在半导体集成电路制造工艺中，硅膜自停止化学腐蚀有着广泛的应用，可用于形成特殊的微结构器件及晶圆腐蚀的自停止控制。当氢氟酸、硝酸、冰乙酸的比例为x：1：y；x／y〈0．28，且x,y均大于1，小于10时，采用槽底通氮气循环和降温冷却方式，对P＋层和P-层进行高选择比腐蚀，就可以得到精确可控的P-层厚度。目前该工艺技术已应用于硅器件工艺加工的湿法腐蚀中。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟		16	37	4.0	5.0
2	高博		3	0	0.0	0.0
3	赵娟		3	0	0.0	0.0
4	赵建强		2	0	0.0	0.0