第三代半导体材料应用及制造工艺概况

• 作者: 杨元元 柳滨 王东辉 詹阳
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 碳化硅 氮化镓 制造工艺
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 1-9,14
• 页数: 10页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 9211字
• 语种: 中文

摘要

对当前的第三代半导体材料的基本特性及应用领域进行研究,报告了SiC和GaN材料的应用现状和发展趋势,并对其制造工艺进行了简要阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳滨	中国电子科技集团公司第四十五研究所	10	42	4.0	6.0
2	王东辉	中国电子科技集团公司第四十五研究所	5	14	1.0	3.0
3	詹阳	中国电子科技集团公司第四十五研究所	8	24	3.0	4.0
4	杨元元	中国电子科技集团公司第四十五研究所	6	15	2.0	3.0