n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

• 作者: 唐恒敬 曹高奇 李平 李淘 李雪 王瑞 石铭 邵秀梅 黄星
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs ICPCVD 暗电流 n-on-p 钝化
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 47-51
• 页数: 5页
• 分类号: TN21
• 字数: 3048字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.01.009

摘要

采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列InGaAs探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层SiNx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10mV偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 nA/em2和5.5×104 A/cm2.