电子隧穿位置和原子实的库仑势对高阶阈上电离的影响

• 作者: 刘润琴 夏立新 王传亮 麦麦提吐逊·阿布都热依木
• 来源期刊: 喀什大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高阶阈上电离 隧穿位置 库仑势
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 【物理与电气工程】
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: O562
• 字数: 3898字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13933/j.cnki.2096-2134.2016.03.004

摘要

利用半经典方法研究了氩原子在强激光场中的高阶阈上电离。通过与simple-man模型和考虑非零隧穿位置的改进模型对比，发现电子隧穿位置和原子实的库仑势对电子再碰撞过程有重要影响。电子隧穿位置主要对单返回再碰撞起作用；而原子实的库仑势在整个再碰撞过程中都不可忽视，但在多次返回再碰撞中才表现出明显的作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	麦麦提吐逊·阿布都热依木	喀什大学物理与电气工程学院	3	2	1.0	1.0
2	王传亮	喀什大学物理与电气工程学院	2	0	0.0	0.0
3	夏立新	喀什大学物理与电气工程学院	3	2	1.0	1.0
4	刘润琴	喀什大学物理与电气工程学院	2	1	1.0	1.0