碳化硅零件氧化辅助抛光超精密加工的研究现状

• 作者: 张晓南 殷勤 沈新民 涂群章 王东
• 来源期刊: 河北科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 特种加工工艺 烧结碳化硅 氧化辅助抛光 表面粗糙度 材料去除效率
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 国家青年/地区科学基金项目专栏
• 页码范围: 431-440
• 页数: 10页
• 分类号: TH164|TB332
• 字数: 3398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7535/hbkd.2016yx05002

摘要

通过等离子体氧化、热氧化、电化学氧化在碳化硅基材上获得软质氧化层,利用软磨粒抛光实现氧化物的快速去除,有利于提高材料去除效率、提升加工表面质量.研究发现,通过等离子体氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.626 nm和0.480 nm;通过热氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.920 nm和0.726 nm;在电化学氧化中,基于Deal-Grove模型计算得到的氧化速度为5.3 nm/s,电化学氧化辅助抛光后的表面粗糙度RMS和Ra分别是4.428nm和3.453 nm.氧化辅助抛光有助于烧结碳化硅加工工艺水平的提升,促进碳化硅零件在光学、陶瓷等领域的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晓南	解放军理工大学野战工程学院	23	84	5.0	8.0
2	殷勤	解放军理工大学野战工程学院	14	64	5.0	7.0
3	王东	解放军理工大学野战工程学院	16	42	4.0	5.0
4	涂群章	解放军理工大学野战工程学院	52	215	9.0	12.0
5	沈新民	解放军理工大学野战工程学院	3	8	2.0	2.0