蓄势待发的SiC功率半导体器件

• 作者: 张波
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 前言
• 页码范围: 93
• 页数: 1页
• 语种: 中文

摘要

SiC作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和功率半导体器件制造水平最为成熟的宽禁带半导体材料.优异的物理特性使其成为高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料,SiC功率器件被誉为下一代的功率半导体器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波		206	1313	17.0	26.0