2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器

• 作者: 周立 奚苏萍 张永刚 曹远迎 李爱珍 杜奔 陈星佑 顾溢 马英杰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 光电探测器 磷化铟基 无锑 气态源分子束外延
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 全国分子束外延会议论文集
• 页码范围: 275-280
• 页数: 6页
• 分类号: TN2
• 字数: 4873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.03.005

摘要

介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3 μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2.5 μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5 ～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1.7 μm的高In组分InGaAs光电探测器等,这些器件结构均采用GSMBE方法生长,其中2.5 μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用,2.9 μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射,含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2.6 μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小,此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制.