Si-Si0.7Ge0.3-Si结构的电阻特性

• 作者: 朱鹏飞 熊峰 王昱为 祝昆 黄非
• 来源期刊: 上海工程技术大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻 硅锗(SiGe) 位移传感器
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 一般工业技术
• 页码范围: 160-162
• 页数: 3页
• 分类号: TM23
• 字数: 1191字
• 语种: 中文

摘要

Si-Si0.7Ge0.3-Si结构在激光的照射下,电阻值会随激光照射点位置的改变而改变.通过实验测量获得激光扫描Si-Si0.7Ge0.3-Si结构样品表面的二维数据分布图,并对水平方向与垂直方向进行分析,得到的电阻灵敏度最高为8.59 MΩ/mm.当激光在器件表面上的扫描线偏离X轴时,灵敏度会逐渐降低为7.72、3.98和1.50 MΩ/mm.研究表明,作为一种新型的位移传感器,Si-Si0.7Ge0.3-Si结构的电阻—位置关系曲线具有灵敏度高和线性关系好的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱鹏飞	上海工程技术大学基础教学学院	18	14	2.0	3.0
3	祝昆	六盘水师范学院物理与电子科学系	18	15	2.0	2.0
6	王昱为	上海工程技术大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0
7	黄非	上海工程技术大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0
8	熊峰	上海工程技术大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0