Si上Ge薄膜特性研究

• 作者: 彭长四 李国辉 李永康 李科 杨茹
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩光电二极管 Ge/Si 分子束外延 X光双晶衍射 透射电镜
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 211-213
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1+2|TN305.3
• 字数: 1402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2002.02.013

摘要

为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨茹	北京师范大学射线束材料工程开放实验室北京师范大学低能核物理研究所	15	24	3.0	4.0
2	李国辉	北京师范大学射线束材料工程开放实验室北京师范大学低能核物理研究所	12	13	2.0	3.0
3	李科	北京师范大学射线束材料工程开放实验室北京师范大学低能核物理研究所	5	5	1.0	2.0
4	李永康	中国科学院物理研究所	3	8	1.0	2.0
5	彭长四	中国科学院物理研究所	1	1	1.0	1.0