LPCVD法在GaN上生长Ge薄膜及其特性

• 作者: 修向前 刘斌 华雪梅 张荣 曹亮 谢自力 赵红 郑有蚪 韩平
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge GaN 衬底 低压化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 655-658,678
• 分类号: O484.1|O484.4
• 语种: 中文

摘要

本文报道了在GaN/蓝宝石作衬底生长Ge薄膜材料的外延生长及其特性研究。研究了不同外延生长条件。结果表明,使用低压化学气相外延技术在GaN/蓝宝石衬底复合衬底上可以生长Ge薄膜。高分辨X射线衍射谱研究得到了峰位分别位于2θ=27.3°、2θ=45.3°和2θ=52.9°的Ge峰.原子力显微镜研究表明得到的Ge薄膜的表面粗糙度为43.4nm。扫描电子显微镜研究表明生长的Ge/GaN/蓝宝石具有清晰的层界,表面Ge晶粒致密并且分布均匀。Raman谱表明所生长的Ge的TO声子峰位于299.6cm-1,这表明了生长的Ge薄膜具有良好的质量。