GaAs上Ge薄膜的性能研究

• 作者: 任永玲 朱红清 李国辉 杨茹 阎凤章
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge/GaAs 白光快速退火 再结晶 界面扩散
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 180-182
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4|O484.5
• 字数: 1191字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.02.009

摘要

用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nm Ge，Ge薄膜在500℃以上退火有再结晶过程，退火后由非晶变成多晶.在Ge和GaAs界面处有互扩散，电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型，可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨茹	北京师范大学低能核物理研究所	15	24	3.0	4.0
2	李国辉	北京师范大学低能核物理研究所	12	13	2.0	3.0
3	任永玲	北京师范大学低能核物理研究所	3	0	0.0	0.0
4	阎凤章	北京师范大学低能核物理研究所	1	0	0.0	0.0
5	朱红清	北京师范大学低能核物理研究所	1	0	0.0	0.0