用于最新技术节点Ge和SiGe的CMP技术研究进展

• 作者: 周朝旭 张保国 潘柏臣 赵帅
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗 锗化硅 14 nm技术节点 化学机械抛光(CMP) 沟道材料
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 623-629
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.09.010

摘要

对锗和锗化硅材料应用及发展前景进行了简单介绍.主要论述了在14 nm技术节点以下应用于pMOS晶体管沟道材料的锗的化学机械抛光(CMP)技术的发展现状,如抛光液组分的优化以及工艺参数的革新,经过CMP后,Ge的表面粗糙度可以有效降低到0.175 nm(10μm×10μm).此外对在最新技术节点应用于CMOS以及缓冲层的SiGe材料的CMP技术发展现状进行了总结分析,通过浅沟道隔离技术以及使用优化后的抛光液对Si0.5Ge0.5沟道材料进行化学机械抛光处理后的表面粗糙度为0.09 nm(1μm×1μm).最后,对目前国内外Ge和SiGe的CMP技术发展现状进行了总结,指出当前CMP技术存在的问题并对其未来发展方向进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张保国	河北工业大学电子信息工程学院	5	18	2.0	4.0
5	潘柏臣	河北工业大学电子信息工程学院	2	1	1.0	1.0
7	周朝旭	河北工业大学电子信息工程学院	2	1	1.0	1.0
11	赵帅	河北工业大学电子信息工程学院	1	1	1.0	1.0