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摘要:
为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18 μm 1.8 V 1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DICE)结构.从原理图和版图两个层面,对传统移位寄存器结构进行全面SEU加固.为了模拟单粒子效应,在电路敏感节点注入不同线性能量传输(LET)的瞬态电流脉冲,利用Spectre仿真器及BSI M3 v3物理模型,结合瞬态电路分析理论,对所设计的移位寄存器进行抗单粒子翻转性能仿真验证.仿真结果表明,提出的双边复位POR和SEU加固司DICE电路在LET为100 MeV· cm2/mg时不发生翻转.与传统的移位寄存器相比,设计的移位寄存器的抗单粒子翻转能力有显著的提高,具备高可靠性和辐射耐受性,可以用于航天领域的CMOS芯片设计.
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文献信息
篇名 抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计
来源期刊 浙江大学学报(工学版) 学科 工学
关键词 单粒子翻转 双边上电复位 位线分离 三模冗余 双互锁存储单元
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 航空航天技术
研究方向 页码范围 792-798
页数 7页 分类号 TN402
字数 2855字 语种 中文
DOI 10.3785/j.issn.1008-973X.2016.04.026
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子翻转
双边上电复位
位线分离
三模冗余
双互锁存储单元
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
浙江大学学报(工学版)
月刊
1008-973X
33-1245/T
大16开
杭州市浙大路38号
32-40
1956
chi
出版文献量(篇)
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