高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究

• 作者: 丘泰 刘学建 张景贤 李晓云 杨建 段于森 江东亮 陈忠明 黄政仁
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅基片 流延成型 硅粉氮化 气压烧结
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电子材料和封接、封装专辑
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.5
• 字数: 3052字
• 语种: 中文

摘要

采用高纯Si粉作为起始原料,通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片.通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程,制备出厚度可控的Si膜.进一步氮化得到微结构均匀的氮化硅素坯.通过气压烧结制备出氮化硅陶瓷基片,热导率达到76 W/m·K.