微晶柱状CsI（Tl）闪烁薄膜的裂纹形貌研究

• 作者: 刘永 刘爽 张尚剑 谢翼骏 郭丽娜
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CsI(Tl)闪烁薄膜 晶面间距 微晶柱 SEM XRD
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 684-688
• 页数: 5页
• 分类号: O7
• 字数: 1037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.04.021

摘要

掺铊碘化铯(CsI(Tl))闪烁薄膜因其具有连续致密的微晶柱结构而被广泛应用。该文采用真空热蒸镀方法在单晶硅(Si)衬底和多晶铂硅(Pt/Si)衬底上制备不同厚度的CsI(Tl)薄膜，研究不同衬底上薄膜厚度增加过程中微晶柱结构中出现的裂纹形貌。不同厚度的CsI(Tl)薄膜制备工艺条件相同。通过X射线衍射图谱(XRD)和扫描电子显微照片(SEM)表征CsI(Tl)薄膜的结晶质量和微晶柱结构形貌，研究不同衬底上CsI(Tl)薄膜的微晶柱结构在生长过程中发生的变化。建立CsI(Tl)薄膜的微结构模型研究单晶薄膜中晶面间距对薄膜微晶柱结构的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘爽	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	65	410	11.0	17.0
5	张尚剑	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	21	110	5.0	10.0
9	郭丽娜	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	18	2.0	3.0
13	谢翼骏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
17	刘永		1	1	1.0	1.0