退火温度对CsI(Tl)薄膜微观结构和闪烁性能的影响

• 作者: 王天民 王宝义 程峰 钟玉荣 魏龙
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: CsI薄膜 微观结构 闪烁性能
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 749-752
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TL812
• 字数: 2430字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.023

摘要

采用真空热蒸发法制备了CsI(Tl)薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(Tl)薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额.结果表明,该CsI(Tl)薄膜沿(200)晶而择优取向生长.经过较低温度退火,CsI薄膜中的Tl+离子向薄膜表面扩散,薄膜中缺陷数量增加,且尺寸较大,光产额略微增高.经过250°C退火,薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复,薄膜缺陷尺寸变小,且数目减少,具有较好的结晶状态,光产额提高.经过400°C退火,薄膜结构发生显著变化,薄膜中缺陷大幅增加,结晶状态变差, Ti+含量减少,光产额急剧下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程峰	兰州大学物理科学与技术学院	9	85	5.0	9.0
3	王天民	北京航空航天大学理学院	140	1545	22.0	32.0
4	王宝义	中国科学院高能物理研究所	69	258	9.0	12.0
5	魏龙	中国科学院高能物理研究所	50	325	10.0	16.0
8	钟玉荣	中国科学院高能物理研究所	5	11	3.0	3.0