层间介质（ILD）CMP 工艺分析

• 作者: 周国安 杨元元 王东辉 胡兴臣 詹阳
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 层间介质 平整度 抛光垫 修整器
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 40-44
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 1170字
• 语种: 中文

摘要

论述了层间介质（ILD）的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO2为例，分析其CMP （化学机械平坦化）工艺过程的化学和机械作用机理，并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO2作为层间介质进行CMP的技术要求，工艺流程和设备结构需求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王东辉	中国电子科技集团公司第四十五研究所	5	14	1.0	3.0
2	周国安	中国电子科技集团公司第四十五研究所	13	43	4.0	6.0
3	詹阳	中国电子科技集团公司第四十五研究所	8	24	3.0	4.0
4	杨元元	中国电子科技集团公司第四十五研究所	6	15	2.0	3.0
5	胡兴臣	中国电子科技集团公司第四十五研究所	2	1	1.0	1.0