生长界面对掺钒SiC 电阻率的影响

• 作者: 徐伟 戴鑫 李斌 毛开礼 王利忠 王英民
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 化学
• 关键词: 掺钒半绝缘 4H-SiC 电阻率 应力
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 37-39,69
• 页数: 4页
• 分类号: O613.7|N33|N34
• 字数: 1363字
• 语种: 中文

摘要

碳化硅（SiC）单晶多采用物理气相传输（PVT）法及籽晶顶置工艺生长，典型的生长界面包括略凹、近平微凸、略凸三种生长界面，在100 mm（4英寸）掺钒（V）半绝缘4H-SiC单晶生长过程中，需要研究不同生长界面对SiC单晶电阻率的影响，得到合适的生长界面。在近似的生长条件下，采用略凹、近平微凸、略凸三种生长界面生长出100 mm掺V半绝缘4H-SiC单晶，加工后进行了电阻率测试、应力等测试，结果表明近平微凸生长界面易于调整掺杂浓度，晶体缺陷少，适合生长电阻率均匀的掺V半绝缘4H-SiC单晶，且晶体出片率高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
2	徐伟	中国电子科技集团公司第二研究所	50	146	6.0	9.0
3	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
4	毛开礼	中国电子科技集团公司第二研究所	10	34	3.0	5.0
5	王利忠	中国电子科技集团公司第二研究所	6	11	2.0	3.0
6	戴鑫	中国电子科技集团公司第二研究所	1	1	1.0	1.0