基于第一性原理的碳化硅界面态机制研究进展

• 作者: 徐向前 李玲 杨霏 温家良 潘艳 王方方 郑柳 陈新
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET) SiC/SiO2界面 缺陷态密度
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 488-492
• 页数: 5页
• 分类号: TM30
• 字数: 3624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2016.05.009

摘要

碳化硅(SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)具有低导通电阻及高击穿临界场强等特点，在高压开关器件领域有着较为广阔的应用及发展前景。但由于 SiC/SiO2具有较高的界面态密度，使得器件反型沟道电子迁移率过低，从而严重阻碍SiC器件的广泛应用。为有效地控制界面态，回顾了国内外对SiC/SiO2界面态的第一性原理研究进展，分析界面态的形成机制，讨论近导带边界中高界面态的根本原因，为SiC器件工艺制备提供理论指导。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈新		40	61	4.0	5.0
2	李玲		4	4	1.0	1.0
3	杨霏		14	36	3.0	5.0
4	潘艳		8	8	1.0	2.0
5	郑柳		4	3	1.0	1.0
6	温家良		7	11	2.0	3.0
7	王方方		1	1	1.0	1.0
8	徐向前		2	5	1.0	2.0