微纳米沟道光栅加工工艺研究

• 作者: 李广伟
• 来源期刊: 重庆科技学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 感应耦合 等离子体 铬掩模 光栅 深刻蚀
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 物理·数学
• 页码范围: 113-116
• 页数: 4页
• 分类号: O438.1
• 字数: 2663字
• 语种: 中文

摘要

以ICP-501为刻蚀设备,以C4F8和SF6为刻蚀气体,以Xe气为辅助气体,以lift-off方法得到的铬掩模对966线/mm的光栅进行刻蚀.结果表明,在选定的工艺条件下,刻蚀光栅结构与理论设计较为符合,衍射效率也接近于理论设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李广伟	中国科学院福建物质结构研究所	15	72	5.0	8.0