Sb2Te3拓扑绝缘体薄膜的MBE制备研究

• 作者: 仇怀利 张涛 徐伟 李中军 杜洪洋 王军
• 来源期刊: 合肥工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Sb2Te3薄膜 超高真空 分子束外延 拓扑绝缘体 制备
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 电子科学与工程
• 页码范围: 1216-1219
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2372字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5060.2016.09.013

摘要

文章以高纯Sb和Te为锑源和碲源，使用分子束外延（molecular beam epitaxy ，MBE）设备，在超高真空条件下外延生长拓扑绝缘体薄膜。通过XRD（X‐ray diffraction）、SEM （scanning electron microscope）等检测手段对薄膜样品进行物像和表面分析，研究了不同衬底温度、束流大小和束流比、生长时间等因素对薄膜质量的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	104	1085	20.0	28.0
2	张涛	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	30	95	4.0	9.0
3	徐伟	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	16	44	5.0	6.0
4	仇怀利	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	19	158	8.0	12.0
5	杜洪洋	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	3	3	1.0	1.0
6	李中军	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	7	4	1.0	1.0