Qorvo发布六款全新更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 高频性能 GAN 驱动器 LNA 分立式 制造工艺 RF系统 相关模型
• 年，卷（期）: bdtxx_2016,（6）
• 页码范围: 12-13
• 页数: 2页
• 分类号: TN322.8

摘要

Qorvo发布了一系列六款全新的氮化镓（GaN）芯片晶体管——TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓（SiC）工艺——QGaN15。