退火对Pt/TiO2肖特基二极管结构及电学性能的影响

• 作者: 戴楼成 罗希 韩超
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 退火 TiO2薄膜 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 818-821
• 分类号: TN311.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.06.013

摘要

以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO2进行表征与结构分析.结果表明,退火后的TiO2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构.在此薄膜工艺条件下,以TiO2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO2/Pt肖特基二极管,并在153～433 K温度范围内对其进行了I-V测试,得到以下结果:在整个温度范围内,A1/TiO2/Pt肖特基二极管均表现出良好的整流特性;其理想因子随温度升高而降低,势垒高度随温度升高而升高;在433 K下,理想因子为1.31,势垒高度为0.73,表明此肖特基二极管已接近理想的肖特基二极管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗希	上海大学纳微能源研究所	4	5	1.0	2.0
5	韩超	上海大学纳微能源研究所	2	0	0.0	0.0
9	戴楼成	上海大学纳微能源研究所	1	0	0.0	0.0