SiN薄膜纳米孔芯片制造工艺实验研究

• 作者: 倪中华 易红 杨浩杰 沙菁 纪安平 蔺卡宾 袁志山 谢骁 陈云飞
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 纳米孔 聚焦离子束 电子束
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 977-981
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 2843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2016.05.013

摘要

针对第3代基因测序的需求，提出一种大规模的氮化硅薄膜纳米孔芯片制造技术．通过测量不同膜厚氮化硅薄膜的应力，选择适用于纳米孔制造的最佳厚度为100 nm．采用低压化学气相沉积、反应离子刻蚀和释放工艺制备出高成品率的氮化硅纳米薄膜芯片．在此基础上，使用聚焦离子束和高能电子束实现氮化硅薄膜纳米孔的制造．研究聚焦离子束刻蚀时间、电流与纳米孔直径的关系．实验结果表明，采用聚焦离子束将氮化硅薄膜的厚度减薄至40 nm以下时，制作纳米孔的效果更好．采用聚焦离子束制造的氮化硅薄膜纳米孔最小直径为26 nm，而采用电子束制备的最小直径可达3.5 nm．该方法为基于固体纳米孔的DNA测序检测提供了有力的支撑．