半导体器件多物理场计算中的热边界条件

• 作者: 朱红伟 王昊 石峰 陈星
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 电路 多物理场 热边界条件 仿真
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 复杂电磁环境
• 页码范围: 113202-1-113202-5
• 页数: 1页
• 分类号: TN701
• 字数: 2940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.160129

摘要

基于半导体器件的物理模型，联立并求解由电磁场、半导体物理及热力学方程构成的多物理场方程组，实现半导体器件及电路的电磁效应计算。为了更加准确地仿真半导体器件的温度变化，深入研究了多物理场计算中的热边界条件。以肖特基二极管 HSMS-282c 为例，采用多物理场算法仿真并对比了器件在相同激励(幅值为2 V 的阶跃脉冲)、不同边界条件下的温度变化情况。实际测量了器件在正向偏置下的表面温度，并于多物理场计算结果进行对比。结果表明，采用热对流边界可以准确仿真半导体器件的热效应。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星	四川大学电子信息学院	73	317	10.0	15.0
2	石峰	河南理工大学物理与电子信息学院	12	14	2.0	3.0
3	王昊	河南理工大学物理与电子信息学院	12	12	2.0	3.0
4	朱红伟	河南理工大学物理与电子信息学院	7	4	1.0	1.0