热氧化SiO2工艺在硅太阳电池中的应用及研究

• 作者: 严金梅 李吉 杨伟强 王松 魏红军
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热氧化 表面钝化 SiO2薄膜 SiO2/SiNx叠层膜
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 2371-2374
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 3946字
• 语种: 中文

摘要

采用热氧化法在晶体硅基底上生长SiO2薄膜,研究了不同厚度的SiO2氧化层对少子寿命(MCL)、光学吸收及与SiNx体钝化的影响;同时通过理论计算匹配相应的SiO2/SiNx叠层膜,得出SiO2层厚度大约为10 nm,SiNx膜的理论厚度在60～70 nm之间,折射率在2.1 ～2.2之间.研究发现SiO2/SiNx叠层膜工艺比常规SiNx工艺太阳电池的能量转换效率(Eta)提升了0.12％,开路电压(Uoc)提高了2 mV,短路电流(Isc)提高了40 mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严金梅		10	8	2.0	2.0
2	李吉		9	11	2.0	2.0
3	魏红军		5	3	1.0	1.0
4	杨伟强		4	3	1.0	1.0
5	王松		2	1	1.0	1.0