硅基MEMS振荡器的静电反馈技术研究

• 作者: 张磊 李昕欣 杨恒 游卫龙
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS振荡器 静电反馈 电学模型 温度补偿
• 年，卷（期）: 2016,（21）
• 所属期刊栏目: 电力电子技术
• 页码范围: 156-159
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 2425字
• 语种: 中文

摘要

硅基MEMS振荡器的频率温度系数高达-30 ppm/℃,是石英晶体振荡器的100倍以上,因此必须进行频率温度补偿.静电反馈是一种低功耗补偿技术,但是静电力小,对于频率较高的振荡器效果不理想.设计了一种具有高Q值的I2BAR结构的高频振荡器,通过优化振荡结构、制作纳米尺度间隙、采用高掺杂衬底来提高静电反馈的作用.建立了器件的机电耦合解析模型,并根据器件的物理结构和尺寸建立了包含寄生效应的等效电学模型,进行PSpice仿真.实验测得振荡器在30 Pa气压下具有48000的Q值,当电压从1 V增加到25 V,频率变化-1194 ppm,频率温度特性为-14 ppm/℃,表明通过静电反馈能够补偿85℃范围内温度变化引起的频率偏移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张磊	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	307	3154	27.0	45.0
5	杨恒	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	19	46	4.0	6.0
6	李昕欣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	52	280	11.0	13.0
7	游卫龙	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	2	5	1.0	2.0