纳米氧化钨气敏传感器研究进展

• 作者: 何丹农 尹桂林 杨帆 葛美英
• 来源期刊: 现代制造技术与装备
• 关键词: 纳米材料 氧化钨 气敏传感器
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 设计与研究
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 字数: 3290字
• 语种: 中文

摘要

在对各种有害气体检测的研究领域内,纳米半导体金属氧化物气敏传感器有着十分重要的地位.作为一种n型半导体金属氧化物,氧化钨因其独有的结构和性能特点,成为近年来气敏材料的研究重点和热点.本文简单介绍氧化钨系气敏材料的气敏响应机理,总结近年来改良和提高纳米氧化钨材料气敏性能的主要工艺和方向,最后指出其自身的不足及未来的研究发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何丹农	上海交通大学材料科学与工程学院	116	1094	18.0	28.0
3	杨帆	上海交通大学材料科学与工程学院	104	906	20.0	25.0
6	尹桂林	上海交通大学材料科学与工程学院	13	75	4.0	8.0
10	葛美英		5	54	2.0	5.0